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半导体存储器装置.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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半导体存储器装置.pdf

    本申请涉及半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：第一沟道结构，其与绝缘结构相邻并且贯穿多个导电层；第二沟道结构，其与绝缘结构间隔开并且贯穿多个导电层；第一杂质区域，其包括在第一沟道结构的端部中；以及第二杂质区域，其包括在第二沟道结构的端部中。第一杂质区域中的杂质的掺杂浓度不同于第二杂质区域中的杂质的掺杂浓度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117098399 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202310077685.9 (22)申请日 2023.01.17 (30)优先权数据

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