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一种宽调谐范围窄线宽激光器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种宽调谐范围窄线宽激光器及其制作方法.pdf

    本申请提供一种宽调谐范围窄线宽激光器及其制作方法，包括芯片层和无源波导器件，芯片层在长度方向上划分为有源增益区和无源波导区，无源波导器件形成于无源波导区。芯片层由下至上依次包括基底、形成于基底且包括脊波导的氮化硅层、位于有源增益区且与氮化硅层上的脊波导键合的III‑V族外延层。无源波导器件包括基于氮化硅层形成的、级联的第一微环谐振腔和第二微环谐振腔，第一微环谐振腔和第二微环谐振腔上沉积形成有加热金属电极。该激光器中，由于III‑V族外延层横向对称性，保障了形成的激光器的稳定、高精度的耦合，采用双

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096729 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311209826.4 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 泉州市三安光通讯科技有限公司 地址

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