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一种MEMS谐振器结构及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种MEMS谐振器结构及制备方法.pdf

    本发明提供一种MEMS谐振器结构及制备方法，使得第一衬底与器件晶圆之间通过硅通孔结构实现电连接，而器件晶圆与第二衬底之间通过硅硅键合和共晶键合实现电连接且使得第一空腔和第二空腔密闭形成真空谐振腔，上述设计使MEMS谐振器在三维方向堆叠的密度达到最大、且与传统的金属电连接相比，本发明中的晶圆之间的互连线最短、从而能够显著提高电信号的传输速度，降低MEMS谐振器的尺寸和功耗；第一衬底与器件晶圆之间的硅硅键合，避免了现有技术中形成金属粘合层可能产生的金属塑性变形的问题，从而极大提高了MEMS谐振器的可

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117088331 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311210001.4 B81B 7/02 (2006.01)

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