原创力文档- 6
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- 2023-11-22 发布于四川
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一种三维非易失性存储器装置，其包括单元串。所述单元串包括柱结构，其包括竖直地堆叠在衬底上的地选择晶体管、多个存储器单元和串选择晶体管。存储器单元包括第一单元组和堆叠在第一单元组上的第二单元组，并且柱结构的至少一部分的水平宽度朝着衬底在深度方向上减小。对存储器装置编程的方法包括：通过柱结构的地选择晶体管将单元串的第一单元组的存储器单元的沟道初始化；以及随后将编程电压施加至单元串的柱结构的存储器单元。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109119117 A
(43)申请公布日
2019.01.01
(21)申请号 20181
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