为什么说3D NAND为实现四级单元提供了可行性？.docVIP

为什么说3D NAND为实现四级单元提供了可行性？ 关于四级单元闪存纠错问题的潜在解决方法。   与此前的平面NAND相比，3D NAND技术的运用将使得错误检查代码更易于实现，这也进一步确定了容量提升的四级单元技术的可行性。   错误检查代码（ECC）技术的使用范围包括通过采用算法以计算为存储数据添加冗余所需添加与使用的位数，在固定大小区域内工作的分组代码与Reed-Solomon编码即是此类技术的应用实例。并且与该技术能够完成的纠错量相比，其可检测到的错误数量更多。   低密度奇偶校验（LDPC）编码是ECC技术的一种较新版本。BCH（Bose-Chaudhuri-Hocquenghem）编码则是另一项纠错技术，这种二进制BCH编码可被设计用于多位数纠错。通常而言，客户希望能够完成的纠错位数越多，则需要添加到数据中的冗余ECC位数就越多。   由于读取单元无法提供明确的1或0，因此在这种情况下，一个或多个字节的值可能会因错误而失真，所以NAND闪存需要配有ECC。   而ECC编码则能够检测并纠正以上所提及的错误。   随着NAND读取难度的增加，需要添加的ECC位数与ECC算法的复杂程度也随之提高。其中，“读取难度”一种概括性说法，其具体是指单元可读性随着单元尺寸与其所存储的位数增加而降低。   举例而言，小单元之间可能存在跨区效应，具体表现为一个单元内的设置值可能会对相邻