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半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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半导体结构.pdf

    本公开提供一种半导体结构。该半导体结构具有基底，在其中具有一第一着陆垫以及设置在该基底上的一第一电容器。该第一电容器具有一第一电极，设置在该第一着陆垫上且远离该第一着陆垫而垂直延伸；一第一介电层，至少部分围绕该第一电极，其中该第一电极比该第一介电层更短；以及一第二电极，围绕该第一介电层与该第一电极。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096131 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202310241889.1 H10B 80/00 (2023.01) (22)申请日 2023.03.

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