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集成电路制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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集成电路制造方法.pdf

    本发明提供一种集成电路制造方法，在通过光刻工艺形成具有光刻图形的光刻胶掩膜之后，通过温度不超过200℃的超低温原子层沉积工艺，在该光刻胶掩膜及衬底的表面上覆盖相应的介质薄膜，由此通过介质薄膜包覆光刻胶掩膜，可以改善甚至避免了光刻胶在对衬底进行构图的后续工艺中发生倾倒、倒塌、漂移或扭曲变形等情况，避免在制造的集成电路中存在因光刻胶掩膜的上述问题而带来的缺陷。而且由于介质薄膜包覆在光刻胶掩膜上，能补偿光刻图形在光刻工艺中的损失，因此由介质薄膜与光刻胶掩膜层叠形成的图形化掩膜的图案精度更高，在该图形化

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096015 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311108654.1 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人 荣芯半导体（淮安）有限公司 地址

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