一种硅基材料及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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本发明公开了一种硅基材料,所述硅基材料包括硅基内核、铜包覆层、碳包覆层;所述铜包覆层设置于硅基内核的表面,碳包覆层设置于铜包覆层表面;所述硅基材料的硅碳键的含量(ISi‑C/ISi‑Si)为0.9‑1.3,所述碳包覆层的石墨化程度(ID/IG)为1‑1.3,其中,ISi‑C表示的是XPS中Si‑C键峰强度,ISi‑Si表示的是XPS中Si‑Si键峰强度,ID表示的是Raman中碳包覆层的D峰的峰面积,IG表示的是Raman中碳包覆层的G峰的峰面积。本发明硅基内核与碳包覆层共价连接的结构为硅基材料

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096316 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311194626.6 H01M 4/38 (2006.01)

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