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- 2023-11-22 发布于四川
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本发明提供一种基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置及其使用方法，包括样品池框架及固定于样品池框架下方的倒置的三棱柱形高阻硅棱镜、所述样品池框架中部具有镂空部，三棱柱形高阻硅棱镜的底面与镂空部形成放置分辨物体的样品池腔室，所述镂空部的上表面可拆连接有样品池盖，利用上述装置能够通过利用太赫兹波在高阻硅棱镜内部发生衰减全反射，而后在棱镜底部形成倏逝波与样品进行反应，从而实现含水、粉末状样品的太赫兹光谱检测，其结构简单、方便调试。应用基于高阻硅的太赫兹衰减全反射检测装置，在分辨物体的组成成分，分析物体的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108931494 A
(43)申请公布日
2018.12.04
(21)申请号 20181
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