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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：栅极结构，栅极结构包括p型掺杂氮化物半导体层、n型掺杂氮化物半导体层和栅极电极层，p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，n型掺杂氮化物半导体层设置于p型掺杂氮化物半导体层上，栅极电极层设置于n型掺杂氮化物半导体层上，p型掺杂氮化物半导体层和n型掺杂氮化物半导体层适于形成PN结；n型掺杂氮化物半导体层包括基体和延伸部，延伸部连接于基体并沿基体向p型掺杂氮化物半导体层延伸预设深度，基体覆盖p型掺杂氮化物半导体层。延伸部

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117096182 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202310833504.0 (22)申请日 2023.07.07 (71)申请人 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 地

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