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脉冲激光沉积法生长掺杂ZnO基薄膜及其相关器件研究的中期报告 中期报告：脉冲激光沉积法生长掺杂ZnO基薄膜及其相关器件研究 研究背景： 氧化锌（ZnO）是一种广泛应用于光电器件、气敏、催化剂等领域的半导体材料，其与其他Ⅱ-Ⅵ族氧化物相比具有较高的光电转换效率、优异的生物相容性和化学稳定性。其中，掺杂ZnO材料的研究具有十分重要的意义，可以通过在材料中引入掺杂原子，来更好地调控其物理化学性质，从而改善其性能，并应用于更广泛的领域。 研究成果： 本研究通过脉冲激光沉积（PLD）法在玻璃衬底上生长不同掺杂的ZnO基薄膜，同时制备并测试了薄膜的相关器件。 1.生长掺铝ZnO基薄膜 以ZnO和Al2O3为靶材，在氧气气氛下通过PLD法在玻璃衬底上生长掺铝ZnO（AZO）基薄膜。通过X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）观察AZO薄膜的表面形貌和结晶性，结果显示，随着掺杂浓度的增加，薄膜表面形貌变得更加光滑，且晶体结构也更加完整。 2.制备AZO-SiO2氧化物堆叠薄膜器件 将生长的AZO薄膜和SiO2薄膜堆叠起来，并制备电极，通过对其电学性能的测试，发现在高掺杂浓度下，器件的电导率明显提高，是一种优异的导电材料。 3.生长掺铜ZnO基薄膜 以ZnO和CuO为靶材，在氧气气氛下通过PLD法在玻璃衬底上生长掺铜ZnO（CZO）基薄膜。通过XRD和SEM观察CZO薄膜的表面形貌和结晶性，发