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红荧烯分子在半金属表面的生长的中期报告 红荧烯分子生长在半金属表面上是一个复杂的过程，其中包含多个步骤和影响因素。目前，我们已完成了红荧烯分子的部分生长实验，并且初步分析了一些结果。 首先，我们在真空室内制备了高质量的半金属表面，通过电子束蒸发和离子束打磨的方法制备样品。在此基础上，我们使用低压化学气相沉积法（LPCVD）在半金属表面上生长红荧烯分子。 我们发现，红荧烯分子的生长过程受到多种因素的影响，包括温度、气相组成和沉积时间等。在控制好这些因素的情况下，我们成功地生长出了一些完整的红荧烯分子。此外，我们还使用扫描隧道显微镜（STM）对生长后的标本进行了表征。 通过STM观察，我们发现在一定的生长条件下，红荧烯分子能够形成规则的晶体结构。与此同时，我们还发现，红荧烯分子的生长和晶体结构也会受到半金属表面的影响。具体来说，在一些表面缺陷较多的半金属表面上，红荧烯晶体的生长速度会更快，晶体结构也更加杂乱不均。 总之，我们已经初步探究了红荧烯分子在半金属表面上的生长，虽然还有很多细节需要进一步研究，但这项研究为理解红荧烯分子的生长机理提供了一定的基础。