CMOS模拟集成电路A卷-11.docVIP

PAGE 共 NUMPAGES 6 页 第 PAGE 1 页 学号 姓名 密 学号 姓名 密 封 线 课程名称 CMOS模拟集成电路设计 考试学期 10 得分 适用专业 集成电路工程 考试形式 闭卷 考试时间长度 120分钟 三、简述题(每题5分，总20分) 1、在CMOS模拟电路中，说明MOS管有哪些不同的应用，并给出这些特定应用所对应的约束条件。 参考答案：偏置：恒流源(1分)、Diode(恒压源)(1分)：饱和区(1分) 放大作用(1分)：饱和区(1分) 2、设正弦信号发生器产生的信号峰-峰值最低为10mV，运放增益设计值为60dB,电源电压为3.3V，若电路失调电压可忽略，问采用何种方法能够测出该电路的电压增益。 参考答案：1、开环法：先对输入信号进行衰减，然后经过运放放大，测出增益。 2、闭环法：运放接成跟随器，根据A(闭环)=Av/(1+Av)，可得Av。 此两点答到其中一点即给5分。 3、分析共漏电路的主要功能，如何通过参数设计改善特定功能下的电路性能。 参考答案：小信号电压跟随（2分），大信号电平移位（2分），增大gm或减小gd（1分）. 4、简要分析5管差分对结构中尾电流镜的作用及其对电路性能的影响。 参考答案：提高共模抑制比（3分）；增大共模输入范围；（2分） 四、作图分析题(总计10分) 1、分别画出?VGS/R和VGS/R型两种基本的自偏置电路结构，分析自偏置电路的基本工作原理，对比分析两种电路的主要特点。（5分） 参考答案： 线形电流镜复制电流，非线形电流镜产生电流；电压源产生电流源、电流源产生电压源，两两耦合。第一种排出了工艺的干扰、并且电流比第二种要小。 图画对一个给2分，两种电路特点分析给1分。 2、画出6管CMOS迟滞比较器的电路结构、输入-输出传输特性，结合所设计的电路说明各个MOS管的主要作用。（5分） 参考答案： 传输特性略； 无MN2/MP2, 普通CMOS倒相器； MN2与MN0分压, 调节Vx电位； MP0与MP2分压, 调节Vy电位； 画出图给2分，传输特性1分，各个mos管的作用2分。 五、证明题(15分) 1、设MOS管过驱动电压?=VGS-VTH、输出电压为VDS，并设该器件的跨导和输出导纳分别为gm、gd，试证明当VDS?/2时，gmgd《 (5分) 参考答案： （2分） （1分） （1分） 当VDS?/2时，gmgd （1分 2、如图所示的CG电路，NMOS放大管跨导为gm、输出阻抗为rn，负载输出阻抗为rp，且rn=rp=r，当MOS管工作在饱和区时gmr1，试证明在以上条件下该电路的输入阻抗。 (5分) 参考答案：（3分） 消去Vx，可得 （2分） 3、设CS单级增益电路中放大管的跨导为gm, 放大管栅电容为CGS，电路负载电容为CL，且CLCGS；电路的单位增益带宽GBW为开环电压增益为0dB时对应的频率，器件的特征频率?T为器件交流小信号电流增益为0dB时对应的频率，证明： 1)、GBW=gm/CL； 2)、?T=gm/CGS； 参考答案： （3分） ,则 （2分） 六、综合分析设计题 (总计35分) 1、对于两极点开环增益电路系统，设电路总的低频增益AV01，p1为低频主极点、p2为高频次极点，电路的单位增益带宽为GBW，试计算分析： (15分) 1)、若极点频率p2=AV0p1，求GBW/(AV0p1)=？ 相位裕度PM=？ 3分 2)、若继续增加p2极点且其余参数不变，问GBW和PM将如何变化； 2分 3)、若p2?10AV0p1，求以上两级开环增益构成的单位负反馈闭环系统的低频增益与-3dB带宽； 2分 4)、利用开环与闭环相关极点频率的关系，说明估算开环电路GBW的方法。 4分 5)、若以上两级开环增益采用Miller电容补偿实现PM=60?，试分析补偿电容Cm选取的方法 (提示：应考虑补偿电阻Rm的影响) 4分 参考答案： (1)GBW/(AV0p1)=1；PM=45°；(3分) (2)GBW不变；PM变大。(2分) (3)低频增益为1；-3db带宽为AV