多晶硅样品中硼、磷及金属杂质测定与机理探讨的中期报告.docxVIP

多晶硅样品中硼、磷及金属杂质测定与机理探讨的中期报告 这篇中期报告主要是描述多晶硅样品中硼、磷及金属杂质测定的方法和机理的探讨。以下是报告的基本内容。 介绍： 本研究的目的是开发测定多晶硅样品中微量杂质的新方法，并探索杂质在多晶硅样品中的存在形态及其影响因素。本篇中期报告主要介绍多晶硅样品中硼、磷及金属杂质测定的方法和机理的探讨。 方法： 本研究使用了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）和电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）对多晶硅样品中的硼、磷及金属杂质进行了测定。在取样前，对样品进行了预处理，包括溶解、过滤、稀释等。对样品中硼杂质的测定使用了比色法和ICP-OES法；对样品中磷的测定使用了光度法和ICP-MS法；对样品中金属杂质的测定使用了ICP-MS法。 结果： 在对多晶硅样品中硼、磷及金属杂质进行测定的过程中，本研究发现了一些问题。比如，在使用ICP-OES法测定样品中硼杂质时，样品中的氧化硼可以和发射的B原子形成B2O分子，从而影响测定结果；另外，在使用ICP-MS法测定样品中金属杂质时，样品中的碳会与离子源中的氧化物反应，产生CO和CO2，从而干扰测定结果。 讨论： 对于上述问题，本研究提出了一些解决方案。比如，对于样品中存在的B2O分子干扰，可以通过加入金属离子捕获剂或在样品溶液中添加离子调节剂等方法进行干扰消除；对于测定过程中的碳干扰，可以通过使用真空下的