多晶硅电阻及其形成方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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多晶硅电阻及其形成方法.pdf

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本发明提供了一种多晶硅电阻及其形成方法，应用于半导体技术领域中。具体的，在本发明所提供的多晶硅电阻的形成方法中，其是在形成多晶硅电阻的过程中，在对多晶硅薄膜进行离子掺杂形成多晶硅电阻之前，增加了一道退火处理工艺(快速退火RTA工艺)，以改变多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶界数量，从而通过调整所述退火处理的工艺参数的方式，实现在形成多晶硅电阻的过程中，同步调整所述多晶硅电阻的阻值，进而得到符合设计要求的多晶硅电阻，即，本发明所提供的所述多晶硅电阻的形成方法实质上也是一种多晶硅电阻的阻值调整方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117119880 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311108733.2 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地