原创力文档- 34
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- 2023-11-25 发布于四川
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本申请提供了一种4H‑SiC单晶中位错缺陷的检测方法，该方法利用腐蚀液对4H‑SiC晶片进行湿法腐蚀，使晶片中含有位错的区域形成腐蚀坑；然后，采用金相显微镜分别用暗场模式和微分干涉模式观察腐蚀坑，由于不同位错的伯格斯矢量不同，其腐蚀机理也不相同，其中，刃位错沿位错线腐蚀、螺位错沿层状腐蚀、混合位错两种腐蚀同时发生，所以在晶片的硅面会形成不同形貌的腐蚀坑，进而根据不同的模式下腐蚀坑的成像结果，可以精确的识别出4H‑SiC单晶中螺位错、刃位错或混合位错缺陷。本申请提供的方法，不仅可以精确识别位错缺陷
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117110310 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202210530171.X
(22)申请日 2022.05.16
(71)申请人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
地
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