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2023-11-25 发布于四川
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本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种ESD器件结构器件。ESD器件结构包括第一导电类型基底层，第一导电类型基底层上形成第一导电类型阱区，第一导电类型阱区中形成左右对称的ESD器件结构；第一导电类型阱区的中部形成工作区，第一导电类型阱区的边缘形成第一导电类型低压引出环区；在位于第一导电类型低压引出环区与工作区之间的第一导电类型阱区中形成第二导电类型阱环区；工作区包括位于工作区中部的寄生二极管区和位于寄生二极管区左右两侧的GGMOS区；GGMOS区中形成有至少一个GGMOS器件和位于GGM

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116933 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311059598.7 (22)申请日 2023.08.22 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址