一种横向SiC-JFET器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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一种横向SiC-JFET器件及其制备方法.pdf

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本申请实施例提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法。横向SiC‑JFET器件，包括：基底；位于所述基底之上且依次排列的栅极和漂移区；漏极，位于漂移区内且与所述栅极间隔设置；漏极接触金属化合物，位于所述漏极之上；漏电极，所述漏电极具有竖向底部和横向连接在竖向底部之上的横向顶部；所述漏电极的竖向底部位于所述漏极接触金属化合物之上，所述漏电极的横向顶部覆盖所述漏极的边缘。本申请实施例解决了传统横向SiC‑JFET器件因漂移区横向电场分布不均导致击穿电压较低的技术问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117117002 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311030004.X H01L 29/16 (2006.01) (22)申请日 2023.08.