- 3
- 0
- 约8.01千字
- 约 8页
- 2023-11-25 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种缺陷检测用标准晶圆及其加工方法与应用,涉及晶圆加工技术领域,其技术方案要点是:选取检测无缺陷的线型晶圆片作为目标晶圆;在目标晶圆的配线表面沉积一导电层;采用电介质旋转涂覆方法在导电层表面镀一电介质层;采用光刻方法在电介质层表面制作至少一个缺陷模样;通过蚀刻设备将以光致抗蚀剂制作的缺陷模样修剪后,再蚀刻电介质层;电介质层蚀刻后将暴露出的导电层去除,再将修剪后的缺陷模样去除;最后将剩余的电介质层去除,得到标准晶圆。本发明适用于不同类型、尺寸大小以及形成难度的缺陷制备,能够满足不同在对
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117109997 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202210528240.3
(22)申请日 2022.05.16
(71)申请人 成都高真科技有限公司
地址 61
原创力文档

文档评论(0)