闪存的制作方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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闪存的制作方法.pdf

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本发明提供一种闪存的制作方法，包括：提供若干闪存晶圆，闪存晶圆的浮栅结构和介质层中形成有开口，开口的侧壁形成有第一侧墙；闪存晶圆分为两组，分别放置于湿法蚀刻机台内温度不同的第一区域和第二区域进行湿法刻蚀，以去除介质层；第一区域的第一侧墙的损失量大于第二区域的第一侧墙的损失量；对第一区域和第二区域各自区域的闪存晶圆分别进行清洗工艺，以对第一侧墙损失量补偿调整，使各自区域的闪存晶圆最终的第一侧墙损失量一致。通过清洗工艺补偿了湿法蚀刻机台的硬件特性带来的第一区域和第二区域加工的闪存器件的第一侧墙的损失

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117119799 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202310944432.7 (22)申请日 2023.07.28 (71)申请人上海华虹宏力半导