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C2W结构及其制造方法.pdfVIP

C2W结构及其制造方法.pdf

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    本发明提供了一种C2W结构及其制造方法，所述C2W结构包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底上的多个芯片；覆盖所述第一半导体衬底的介质层；以及，覆盖所述多个芯片和所述介质层的第二半导体衬底。能够极大地提高所形成的C2W结构的散热效果。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117116876 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311079349.4 (22)申请日 2023.08.24 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 地址

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