存储器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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存储器件及其制造方法.pdf

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本申请提供一种存储器件及其制造方法。其中，存储器件包括：基体，包括衬底及形成在衬底中，且位于衬底一侧的掺杂阱区；第一基体凹槽，自掺杂阱区向下延伸，第一基体凹槽的内壁上形成有栅极绝缘层；第一栅极，填充在第一基体凹槽中，并至少部分凸出于掺杂阱区之外；栅间介质层，形成在第一栅极上；第二栅极，形成在栅间介质层上，第二栅极作为存储器件中存储单元的控制栅；第三栅极，形成在掺杂阱区上，且与第一栅极接触，共同构成存储器件中存储单元的半浮栅，其中，第三栅极与掺杂阱区具有连续的晶格构造。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117119800 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311013896.2 (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址