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第十一章 半导体材料制备;生长技术;晶体生长问题;11.1 体单晶生长;结晶过程驱动力;杂质分凝;组分过冷;10.2 体单晶生长方法;10.2.1 直拉法;;10.2.2 直拉生长技术的改进;10.2.3 悬浮区熔法;10.2.4 垂直梯度凝固法和垂直布里奇曼法;例子：硅的单晶生长第一步：石 英（90%）还 原 脱 氧 成 为 熔 炼 级 硅（99％）;第二步：熔 炼 级 硅（99％）到电子级多晶硅;粗硅提纯到电子级多晶硅;精馏;硅的单晶生长第三步：电子级多晶硅到单晶硅;最后一步：研磨，切割，抛光;10.3 片状晶生长;;10.4 晶片切割;10.5 半导体外延生长技术;外延生长的优点;;外延生长的技术;汽相外延生长的优点;1）真空热蒸发沉积;;饱和蒸气压;2）化学气相沉积;化学气相沉积的优点;;例子：硅的气相外延生长;硅源;;氢还原SiCl4硅外延;卧式;硅外延生长步骤;（1）硅片清洗;表面杂质的类型;清洗步骤;（2）装衬底片;（3）通氢排气;（4）升温;（5）高温处理;（6）气相抛光;（7）通氢排气;（8）外延生长;（9）通氢排气;（10）降温;（11）开炉取片;4）金属有机物化学气相沉积;MOCVD的特点;;MOCVD系统;;第十一章 半导体材料制备;生长技术;晶体生长问题;11.1 体单晶生长;结晶过程驱动力;杂质分凝;组分过冷;10.2 体单晶生长方法;10.2.1