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霍尔元件基本参量及磁场的测量 【实验目的】 了解霍尔元件的基本原理及产生的条件，测量室温下半导体材料的霍尔元件的基本参 数。 测绘霍尔元件的 V -I H I 之间的关系。 M 、 V -I S H M 曲线，了解霍尔电压与霍尔元件工作电流 I S 和励磁电流 测电磁铁磁隙中磁场的横向分布。 【实验原理】 霍尔效应 如图 3.7.1 所示，一块宽为W ，厚为 h 的半导体薄片，若在其对称点 1、2 之间接上一个灵敏度电流计，沿 x 轴正向通电流，在不加磁场的情况下，电流计不会偏转，说明 1、2 两点 半导体薄片图 3.7.1 之间电位相等；但是如果在 z 方向加上磁场 B，电流计立即就会偏转，说明 1、2 两点之间有电 位差。这一现象是霍尔首先发现的，故称霍尔效应，两点间的电位差称为霍尔电压。 设沿半导体薄片 x 方向通一稳恒电流 I ，z 方向加一均匀磁场 B 后，半导体薄片中的载流子 S （空穴或电子）将受到洛仑兹力 F B 的作用，由于I S 的方向和 B 垂直，故F ＝evB，这个力使电荷 B 在元件的两边 1-3 或 2-4 面堆积并形成一横向电场 E H ，即霍尔电场。电场 E H 对载流子产生一个 方向和洛仑兹力 F B 相反的静电力 F B ＝eE ，当载流子受到的横向电场力和磁场力达到平衡（ F H E ＝F ）时，即有 B