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- 2023-11-29 发布于四川
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本发明涉及一种基于氮化硼的碳化硅栅极介电层及其制备方法与应用，制备方法包括：首先利用微波等离子体化学气相沉积法，在碳化硅或碳化硅外延基底表面形成氮化硼缓冲层，即第一栅极介电层；之后利用低压金属有机化学气相沉积法，在氮化硼缓冲层表面进行范德华介电层六方氮化硼的生长，即第二栅极介电层；其中第一栅极介电层与沉积于氮化硼缓冲层上的第二栅极介电层构成碳化硅栅极介电层。与现有技术相比，本发明可有效减少因界面应力引起的碳空位、碳间隙原子及团簇等缺陷，可获得较薄介电层厚度以及较高的介电强度，进而提高了栅极介电层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117133636 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202311333461.6
(22)申请日 2023.10.16
(71)申请人 复旦大学
地址 200433
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