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垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-29 发布于四川
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垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体激光器领域，提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中的垂直腔面发射激光器包括N型衬底，在N型衬底上依次制备有N型接触层、N型DBR层、有源层、电流限制层、P型DBR层和P型接触层，在P型接触层上制备有P型电极，在N型接触层上避开N型DBR层的位置制备有N型电极；N型DBR层包括同层的二元系材料子层和三元系材料子层，三元系材料子层包覆在二元系AlAs材料子层的外侧。本发明的N型DBR层由AlAs二元系材料与AlxGa1‑xAs三元系材料构成，因二元系材料的散热性能高于三元系材料

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117134194 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311390643.7 (22)申请日 2023.10.25 (71)申请人 吉光半导体科技有限公司 地址 1

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