半导体工艺技术薄膜淀积.pptVIP

* 多晶硅淀积方法 LPCVD，主要用硅烷法，即在600-650 ℃温度下，由硅烷热分解而制成，总体化学反应（overall reaction）方程是：SiH4→Si(多晶)+2H2 低于575 ℃所淀积的硅是无定形或非晶硅（amorphous Si）； 高于600 ℃淀积的硅是多晶，通常具有柱状结构（column structure）； 当非晶经高温（600 ℃）退火后，会结晶（crystallization）； 柱状结构多晶硅经高温退火后，晶粒要长大（grain growth）。 本文档共65页；当前第31页；编辑于星期六\0点25分 * 多晶硅的掺杂 气固相扩散 离子注入 在淀积过程中加入掺杂气体（称为原位掺杂，in situ），与外延掺杂类似 多晶硅的氧化 多晶硅通常在900~1000 ℃范围内进行干氧氧化 未掺杂或轻掺杂多晶硅的氧化速率介於（111）和（100）单晶硅的氧化速率之间 掺磷多晶硅的氧化速率要比未掺杂（或轻掺杂）多晶硅的氧化速率快 本文档共65页；当前第32页；编辑于星期六\0点25分 * 薄膜淀积速率随温度上升而迅速增加 淀积速率随压强（硅烷分压）增加而增加 淀积参数的影响- 温度- 压强- 硅烷浓度- 掺杂剂浓度 本文档共65页；当前第33页；编辑于星期六\0点25分 * 多晶硅的淀积速率 通常不是硅烷浓度的线性函