思瑞浦高性能模拟芯片和嵌入式处理器——TPM650xQ.docVIP

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2023-12-02 发布于湖南
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思瑞浦高性能模拟芯片和嵌入式处理器——TPM650xQ.doc

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思瑞浦高性能模拟芯片和嵌入式处理器——TPM650xQ 高性能模拟芯片和嵌入式处理器 TPM650xQ 聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器研发的半导体公司——思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）推出高性能汽车级推挽变压器驱动芯片TPM650xQ系列。 TPM650xQ系列内置MOS管，耐压达到25V，支持全温度范围-40°C至+125°C可靠工作。通过极具竞争力的产品性能，TPM650xQ系列广泛应用于汽车总线接口、工业仪器等需要隔离供电的终端领域。 TPM650xQ产品特性宽输入范围：2.25-5.5V 多种固定频率版本：160kHz、420kHz、2.2MHz 抖频功能：提供抖频功能，降低EMI设计难度支持EN： TPM6501xQ系列无EN引脚 TPM6505xQ系列有EN引脚外部CLK：内置频率160k和420k两种可选外置频率范围从100kHz至1600kHz 低Rds(on)： Rds(on) 0.23Ω@Vcc=4.5V 支持宽范围工作温度：-40℃至+125℃ 丰富的保护功能：原边1.5A逐周期限流保护、OTP保护、欠压保护软启动功能：可选有/无软启动，降低启动时电压应力封装：SOT23-5、SOT23-6 TPM650xQ不同版本配置 TPM650xQ典型应用【典型应用1】3.3V-5.5V/3.3V-5V直接转换应用：5V转5V/3.3V/12V, 3.3V转3.3V/5V/12V 特点：结构简单，易于使用，适用于输入和输出电压在3-5V之间典型应用1 典型应用1的效率和负载调整率曲线【典型应用2】低温升12V转12V/15V双路隔离输出应用：单电压12V输入，转双路隔离12V/15V/20V输出特点：VIN可以超过5.5V；开关损耗由外部MOS承担，芯片的温度降低典型应用2 典型应用2的效率和交叉调整率特性【典型应用3】高集成度5V转双路隔离20V方案应用：5V转20V(或23V, 然后通过TPR431分压可以+15V和-8V) 特点：一颗推挽变压器实现双路隔离输出；输出是输入电压4倍典型应用3 典型应用3的效率和交叉调整率特性 TPM650xQ系列现提供样品支持，样品申请或产品咨询请发送邮件至business@3peak或联系授权代理。