高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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高亮度的LED模组及其制备方法、LED芯片及其制备方法.pdf

本发明提供了一种高亮度的LED模组,包括:形成于CMOS驱动电路基板上的阵列排布的若干LED像素单元;其中,N型外延层的第一面形成出光粗化结构;金属空气桥结构,连接于若干N型外延层之间,且延伸于阴极柱的侧壁与表面上;光阻结构,阵列排布于光阻结构中的若干荧光结构单元;每个荧光结构单元均包括:反射镜层、荧光结构以及透镜结构;反射镜层形成于荧光结构的侧壁上;透镜结构形成于对应的荧光结构的顶端;其中,荧光结构单元中的荧光结构对应键合于LED像素单元中的出光粗化结构上。该技术方案解决了提高光线聚集度和芯片

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153858 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311115456.8 H01L 33/58 (2010.01)

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