金属互连结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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本申请提供一种金属互连结构及其制备方法,其中制备方法包括:提供一衬底,衬底上形成有第一低k介质层、第一阻挡层、第二低k介质层和填充第一接触孔的第一金属层;进行一体式刻蚀以在第二低k介质层中形成第二接触孔;进行等离子体高温处理以在第二低k介质层表面生成保护膜;形成填充第二接触孔的第二金属层;形成第二阻挡层。本申请通过在一体式刻蚀后,对第二低k介质层进行等离子体高温处理,以在第二低k介质层表面生成一层致密的保护膜,等离子体高温处理可以提升第二低k介质层的机械强度,同时,生成的该保护膜可以有效阻挡第二

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153776 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311120233.0 (22)申请日 2023.08.31 (71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司 地址

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