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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，其形成方法包括:提供衬底；在所述衬底内形成有源区，所述有源区包括相邻的漂移区和体区；在所述漂移区内形成隔离槽；形成部分所述衬底表面的第一栅极结构、所述隔离槽内的第二栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅极，所述第二栅极结构包括第二栅极，所述第一栅极结构一侧的所述体区内具有源极，所述第一栅极结构另一侧的所述漂移区内具有漏极，部分所述第一栅极结构位于所述漂移区上，另一部分所述第一栅极结构还位于所述体区上，且所述第二栅极结构位于所述第一栅极结构和所述漏极之间，可减少电荷在所述

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153879 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202210563935.5 (22)申请日 2022.05.23 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

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