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衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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衬底处理方法、半导体器件的制造方法、程序及衬底处理装置.pdf

    本发明的目的在于使蚀刻工艺中产生的异物的量降低，抑制膜的品质下降。提供具有下述工序的技术：a)向形成有膜的衬底供给第1气体，在膜的表面形成改性层的工序；b)在a)之后，向改性层供给第2气体而将改性层除去的工序；c)在b)之后，向膜供给比b)的处理温度高的第1温度的非活性气体的工序；和d)通过将a)b)c)依次进行规定次数，从而将膜的一部分除去的工序。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117157734 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202280003169.5 (51)Int.Cl .

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