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纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-02 发布于四川
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纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法.pdf

    本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到纳米图形，其中，电子束曝光的曝光剂量为1C/m2～5C/m2。按照上述纳米图形的制备方法能够实现10纳米以下的纳米图形的制备。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110737171 A (43)申请公布日 2020.01.31 (21)申请号 20191

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