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本发明公开了一种射频芯片铌酸锂衬底SiO2层平坦化的工艺；本发明化学机械抛光前增加一次修频，得到特定的面型，与化学机械抛光分区速率形成互补；使用化学机械抛光进行初步的平坦化，得到半成品；再进行二次修频，对晶圆表面进行微调，进一步提高晶圆SiO2层的表面均匀性。本发明在化学机械抛光前通过修频改变面型，结合化学机械抛光，可以降低SiO2层表面均匀性和极差。减少化学机械抛光后修频的刻蚀量，降低碎片风险，提高产品的合格率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117140345 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311183884.4
(22)申请日 2023.09.14
(71)申请人 浙江美迪凯光学半导体有限公司
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