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- 2023-12-02 发布于四川
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本发明公开了一种具有工艺电压温度补偿能力的纳安级电流源及设计方法,包括电流偏置电路和自适应恒流偏置电压产生电路;所述电流偏置电路用于实现纳安级亚阈值电流偏置;所述偏置电压产生电路用于对不同工艺、电源电压、温度条件下,目标电路的特性进行提取,以获得对应偏置电压变化特性曲线,指导所述电流偏置电路建设。采用本发明所述的具有工艺电压温度补偿能力的纳安级电流源不仅可以能够为亚阈值电路提供精确的电流偏置,同时具备抗工艺、电源电压、温度波动的能力,还能避免了大尺寸的电流镜MOS管使用,节省了版图面积。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117148912 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311356626.1
(22)申请日 2023.10.19
(71)申请人 华中科技大学
地址 430070
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