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- 2023-12-02 发布于四川
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本发明提供一种光芯片及其制造方法，所述光芯片包括：衬底；以及波导，设置所述衬底上；以及端面耦合结构，设置在所述衬底上且位于所述光芯片的边缘处，所述端面耦合结构配置为与外接光纤耦合以将所述外接光纤传输的光束引入所述光芯片，并将所述光束引导至所述波导中，所述衬底上设置有凹槽，所述凹槽位于所述衬底的边缘处，所述端面耦合结构在所述衬底上的正投影的至少一部分落入所述凹槽内，所述端面耦合结构靠近所述光芯片的边缘的端部在朝向所述光芯片的边缘的方向上逐渐收窄，使得端面耦合结构与外光纤的模场匹配，提高耦合效率，且
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117148493 A
(43)申请公布日 2023.12.01
(21)申请号 202311126081.5
(22)申请日 2023.09.01
(71)申请人 北京摩尔芯光科技
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