半导体制程概论萧宏chapter10.pptxVIP

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2023-12-02 发布于江苏
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Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm1化學氣相沉積與介電質薄膜Hong Xiao, Ph. D.hxiao89@www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm2023最新整理收集do something Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm2目標辨別至少四種化學氣相沉積的應用描述化學氣相沉積製程的流程列出兩種沉積區間並說明他們與溫度之間的關係列出兩種介電質薄膜列舉最常使用在介電質化學氣相沉積的矽源材料 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm3CVD 氧化層 vs. 加熱成長的氧化層熱成長薄膜沉積薄膜矽裸片晶圓SiO2SiO2SiSiSi Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm4CVD 氧化層vs. 加熱成長的氧化層加熱成長氧來自氣相的氧矽來自基片薄膜成長氧進入基片品質較高CVD氧和矽都來自氣相沉積在基片表面溫度較低成長速率較高 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm5介電質薄膜的應用多層金屬連線中當做電器隔離的介電質層CVD 和自旋塗佈介電質加上CVD介電質淺溝槽絕緣 (STI) 多晶金屬矽化物匣即會形成側壁空間層，這是形成低摻雜汲極( LDD)和擴散緩衝層所需要的鈍化保護介電質層 (PD) 當圖形尺寸小於 0.25 mm，自旋塗佈介電質抗反射層鍍膜(ARC)就不符合解析度需求 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm6介電質薄膜的應用很多公司用介電質層(interlayer dielectric；ILD)代表金屬層間介電質層, 包含金屬沉積前的介電質層(PMD)和金屬層間介電質層(IMD)金屬沉積前的介電質層: PMD通常使用摻雜氧化物 PSG 或 BPSG溫度受熱積存限制金屬層間介電質層: IMD使用USG 或 FSG通常在溫度400 ?C沉積 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm7氧化矽氮化矽USGWP型晶圓N型井區P型井區BPSGp+p+n+n+USGWMetal 2, Al?CuP型磊晶層金屬 1, Al?Cu Al?CuSTISTIPMD 或 ILD1IMD 或 ILD2ARCPD1PD2側壁空間層WCVDTiN CVD介電質薄膜在CMOS電路的應用 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm8介電質製程對一個使用STI的N層金屬連線積體電路晶片而言，最小的介電層數量為:介電質層 =1+ 1 + 1 + (N-1)+ 1 = N + 3STI側壁空間層PMD IMDPD Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm9化學氣相沉積(CVD)化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)化學氣體或蒸氣和晶圓表面的固體產生反應，在表面上以薄膜形式產生固態的副產品，其他的副產品是揮發性的會從表面離開. Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm10CVD應用 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm11化學氣相沉積氣體或是氣相源材料引進反應器內源材料擴散穿過邊界層並接觸基片表面源材料吸附在基片表面上吸附的原材料再基片表面上移動在基片表面上開始化學反應固態副產物在基片表面上形成晶核晶核生長成島狀物島狀物合併成連續的薄膜其他氣體副產品從基片表面上脫附釋出氣體副產品擴散過邊界層氣體副產品流出反應器. Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm12CVD製程步驟晶圓反應物副產品氣體噴嘴晶圓座源材料強制對流區邊界層 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm13沉積製程源材料到達晶圓表面源材料在表面移動源材料在表面反應成核作用：島狀物形成 Hong Xiao, Ph. D.www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/