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D209L
D209L
HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor
Features
VeryHighSwitchingSpeed
HighVoltageCapability
WideReverseBiasSOA
TO-3PGeneralDescription
TO-3P
ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply.
SymbolParameter
Symbol
Parameter
TestConditions
V Collector-EmitterVoltage
CES
V =0
BE
Value
700V
Units
V
CEO
VEBOIC
I
CP
I
B
I
BM
Collector-EmitterVoltage
Emitter-BaseVoltageCollectorCurrent
CollectorpulseCurrent
BaseCurrentBasePeakCurrent
TotalDissipationatTc=25℃
TotalDissipationatTa=25℃OperationJunctionTemperature
StorageTemperature
I=0
B
IC=0
400V
9.0
12A
25
6.0A
12A
130
V
A
t=5ms
P
P
C
W
TJ
T
STG
2.3
-40~150
-40~150
℃
℃
Tc:Casetemperature(goodcooling)
Ta:Ambienttemperature(withoutheatsink)
SymbolR
Symbol
RθJcRθJA
Parameter
ThermalResistanceJunctiontoCase
ThermalResistanceJunctiontoAmbient
Value Units
0.96/W℃
40/W℃
Jan2009.Rev.0
Copyright@WinSemiSemiconductorCo.,Ltd.,Allrightsreserved.
1/5
D209L
D209L
D209L
D209L
SymbolParameterTestConditionsValueMin Typ MaxUnitsVCEO(sus)
Symbol
Parameter
TestConditions
Value
Min Typ Max
Units
VCEO(sus)Collector-EmitterBreakdownVoltage
Ic=10mA,Ib=0
400
-
-
V
VCE(sat)
Collector-EmitterSaturationVoltage
Ic=5.0A,Ib=1.0A
Ic=8.0A,Ib=1.6AIc=12A,Ib=3.0AIc=8.0A,Ib=1.6ATc=100℃
IIc=5.0A,Ib=1.0A
Ic=8.0A,Ib=1.6A
Ic=8.0A,Ib=1.6ATc=100℃
-
-
0.5
1.0
1.5
V
-
-
2.0
V
1.2
-
-
V
VBE(sat)
Base-EmitterSaturationVoltage
1.6
-
-
1.5
V
I=1.6A,Vbe(off)=5V
clamp
I=0.4A,Vbe(off)=5V
unlessotherwisenoted)
ICBO
Collector-BaseCutoffCurrent(Vbe=-1.5V)
Vcb=700V
Vcb=700V,Tc=100℃
-
-
1.0
5.0
mA
hFE
DCCurrentGain
Vce=5V,Ic=5.0A
Vce=5V,Ic=8.0A
10
6
-
-
40
40
ResistiveLoad
-
ts
StorageTime
V=125V, Ic=6.0A
CC
I=1.6A, I=-1.6A
1.5
3.0
?
tf
FallTime
TBp1=25? B2
0.16
0.4
ts
InductiveLoad
StorageTime
V=15V,Ic=5A
CC
-
0.6
2.0
?
tf
ts
FallTime
I
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