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制备基于三维中空纳米结构的气敏传感器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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制备基于三维中空纳米结构的气敏传感器件的方法.pdf

    本发明提供一种制备基于三维中空纳米结构的气敏传感器件的方法，包括：(1)对衬底进行表面清洁处理；(2)使用电子束抗蚀剂在衬底上形成抗蚀剂层；(3)对抗蚀剂层进行图形曝光、显影和定影以形成具有空腔结构的抗蚀剂层；(4)对步骤(3)中形成的具有空腔结构的抗蚀剂层进行薄膜沉积，以在空腔结构的周壁和底壁以及抗蚀剂层上表面形成介质层；(5)去除抗蚀剂层上表面的介质层之后，去除抗蚀剂层，以获得由所述介质层构成的上端开口且中空的管结构；(6)在所述管结构表面和裸露的衬底表面上进行薄膜沉积，以形成二维电子气结构

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117169283A

    (43)申请公布日2023.12.05

    (21)申请号202311036834.3

    (22)申请日2023.08.17

    (71)申请人中国科学院物理研究所

    地址10

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