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本发明提供了一种用于防止半导体衬底中形成的图案化高纵横比特征在从该特征之间的空间移除用于清洁蚀刻残留物的类型的初始流体时发生塌陷的方法。在本方法中，空间至少部分地填充有置换溶液，诸如经由旋涂，以基本上置换初始流体。该置换溶液包括至少一种溶剂以及以苯酚‑甲醛聚合物形式的第一填充材料和/或以聚烯烃碳酸酯(PAC)形式的第二填充材料中的至少一者或其组合。然后使该溶剂挥发以便使填充材料以基本上固体形式沉积在空间内。与使用当前填充材料相比，可以经由高蚀刻速率通过已知等离子体蚀刻过程来移除填充材料，这防止或
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111065966A
(43)申请公布日
2020.04.24
(21)申请号20188
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