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半导体装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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半导体装置及其形成方法.pdf

    半导体装置包括设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间的栅极结构以及设置在第一源极/漏极区域上方的第一接触件。该半导体装置包括设置在第二源极/漏极区域上方的第二接触件以及设置在第一接触件和第二接触件之间以及栅极结构上方的气隙。本发明的实施例还涉及形成半导体装置的方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN112086406A

    (43)申请公布日

    2020.12.15

    (21)申请号20201

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