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半导体存储器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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半导体存储器件及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体存储器件及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成叠层结构；于叠层结构内形成若干个间隔排布电容孔；于电容孔内形成下电极层；去除顶层介质层；于暴露出的牺牲层的表面及下电极层的上部表面形成第一电容介质层；于第一电容介质层的表面形成第一上电极层；于第一上电极层及第一电容介质层内形成多个开口；基于开口去除牺牲层；至少于下电极层的表面及暴露出的底层介质层的表面形成第二电容介质层；于第二电容介质层的表面形成第二上电极层。本发明的第一电容介质层及第一上电极层既可以起到支撑层的作用，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN113496953A

    (43)申请公布日

    2021.10.12

    (21)申请号20201

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