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本发明公开了一种基于硅通孔的芯片封装方法及芯片封装结构，该芯片封装方法包括以下步骤：对晶圆背面进行去应力减薄和硅通孔刻蚀；在晶圆背面整面制作保护层Ⅰ，将需要刻蚀的硅平面层裸露；将硅平面层减薄，形成凹槽结构；在凹槽结构中填充阻挡层，用于吸收隔绝红外光，填充后与边缘硅层保持平齐；在晶圆背部制作绝缘层；在晶圆背部制作金属RDL层；在金属RDL层上制作保护层Ⅱ；通过植球或印刷锡球的方式使锡球与金属RDL层连接；将产品分割。本发明通过在硅平面层的凹槽结构处增加用于隔绝红外光的阻挡层，有效避免红外光从芯片背
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117174597A
(43)申请公布日2023.12.05
(21)申请号202311248777.5H01L23/31(2006.01)
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