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一种半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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一种半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种含电容孔的半导体结构，包括电容孔，所述电容孔的蚀刻终止层由至少两层氮化物膜组成；所述两层氮化物膜的密度不同；为使所述至少两层氮化物膜的密度不同，采用原位沉积方式。一种半导体结构的制备方法，包括下列步骤：在半导体衬底上沉积蚀刻终止层，再经过后续工艺形成电容孔；其中，所述沉积蚀刻终止层的方法为：在所述半导体衬底上沉积多层氮化物膜，所述多层氮化物膜依次上下层叠，并且所述多层氮化物膜所采用的沉积方法不同。本发明解决了现有技术因电容孔形貌不佳导致器件不良的问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN113517287A

    (43)申请公布日2021.10.19

    (21)申请号202010276334.7

    (22)申请日2020.04.09

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

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