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- 2023-12-06 发布于四川
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本发明公开了一种应用于半导体器件的场板结构及其制作方法和应用。所述应用于半导体器件的场板结构包括第一场板、第二场板，所述第一场板设置在所述氧化物层内，所述第二场板覆盖在所述氧化物层上并将栅极完全掩盖，并且所述第二场板的局部区域直接与第一场板电性接触或电性结合，同时所述第二场板还经导电通孔接地。本发明提供的应用于半导体器件的场板结构中，最顶层场板完全跨过栅极，隔离了栅极和漏金属互连之间的耦合，有效的降低了Cgd，且可以通过更多的通孔接地，从而降低了场板结构的接地电阻，降低了场板在高频下的损耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113675262A
(43)申请公布日
2021.11.19
(21)申请号20201
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