第九章-金属化与多层互连--硅集成电路工艺基础教学课件.pptVIP

第九章金属化与多层互连;接触材料：直接与半导体接触，并提供与外部相连的连接点。铝是一种常用的接触材料，但目前应用较广泛的接触材料是硅化物，如铂硅(PtSi)和钴硅(CoSi2)等。

集成电路中使用的金属材料，除了常用的金属如Al，Cu，Pt，W等以外，还包括重掺杂多晶硅、金属硅化物、金属合金等金属性材料。;9.1、集成电路对金属化材料特性的要求;9.1.1、晶格结构和外延生长特性的要求;9.1.3、机械特性、热力学特性以及化学反应特性;应力的存在对互连体系可靠性产生严重影响，应力可导致互连线出现空洞，互连材料的电迁移也与应力的存在有关。

多层薄膜体系的应力可以通过淀积生长适当的覆盖层来减弱，若第一层薄膜受张应力，当覆盖层为受压应力时，经过退火后应力转移，主要集中在覆盖层，而原有薄膜所受应力减小。选择合适的覆盖层对减小薄膜中的应力非常重要。

除了应力之外，金属材料在半导体材料中的扩散、材料的热力学特性以及化学反应特性在互连材料的选取以及结构设计时都是必须考虑的问题。;铝是一种经常被采用的金属互连材料，主要优点是:

在室温下的电阻率仅为2.7μΩ·cm；

与n+、p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻可低至10-6Ω/cm2；

与硅和磷硅玻璃的附着性很好；

经过短时间热处理后，与SiO2、Si3N4等绝缘层的黏附性很好；

易于淀积和刻蚀。;(2)Al与SiO2的反应

Al与SiO2反应对于Al在集成电路中的应用十分重要：

Al与Si接触时，可以“吃”掉Si表面的自然氧化层，使Al/Si的欧姆接触电阻降低；

Al与SiO2的作用改善了集成电路中Al引线与下面SiO2的黏附性。;9.2.3、Al/Si接触中的尖楔现象;影响尖楔深度和形状的因素;2、铝-掺杂多晶硅双层金属化结构;对于Al和重磷或重砷掺杂的多晶硅接触，这种重组现象不存在。可能是因为杂质磷(砷)在多晶硅晶粒间界分凝，使晶粒间界硅原子的自由能减小，降低了这些硅原子在铝中的溶解度。

因此可以在淀积铝薄膜之前，先淀积一层重磷或重砷掺杂的多晶硅薄膜，构成Al-重磷(砷)掺杂多晶硅双层金属化结构。

Al-掺杂多晶硅双层金属化结构已成功地应用于nMOS工艺中。;电迁移现象：??着芯片集成度的提高，互连引线变得更窄、更薄，电流密度越来越大。在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，这种现象就是电迁移。;三叉点：在三个晶粒交界处，此时电子风推动原子从一条边界流入，从另外两条边界流出。这个过程造成了质量的流失，形成了空洞。当电流反向流动时，就产生了质量堆积，形成小丘。因此，“三叉点”数量的减少会使引线发生电迁移的可能性下降。;2、中值失效时间MTF;3、改进电迁移的方法;在铝中附加合金成份，最常用的是Cu。

使金属化材料由纯Al变为Al-Si(1-2％)-Cu(4％)合金，这些杂质在铝的晶粒间界分凝可以降低铝原子在铝晶粒间界的扩散系数，可以使MTF值提高一个量级。但缺点是使引线的电阻率增加、Al-Si-Cu合金不易刻蚀、且易受Cl2腐蚀。

(3)三层夹心结构

在两层铝薄膜之间增加一个约500?的过渡金属层。

经过退火，在两层铝之间将形成金属化合物，它们是很好的铝扩散阻挡层，可以防止空洞穿透整个铝金属化引线；同时在铝晶粒间界也会形成化合物，降低铝原子在铝晶粒间界中的扩散系数，从而减少了铝原子的迁移率，防止空洞和小丘的形成。这种方法可以使MTF值提高2-3量级，但是工艺比较复杂。

(4)改进电迁移的另一种有效方法是采用新的互连金属材料，如Cu。;金属铜的电阻率小于2.0μΩ·cm，低电阻率可以减小引线的宽度和厚度，从而减小了分布电容，并能提高集成电路的密度。此外，铜的抗电迁移性能好。

使用低K材料作为介质层，减小了分布电容，对降低互连线延迟时间同样起到重要的作用。;9.3.2、以Cu作为互连材料的工艺流程;(1)在前层互连层平面上淀积刻蚀停止层，如Si3N4；

(2)淀积厚的互连介质材料，如SiO2或低K介质材料；

(3)形成刻蚀引线沟槽的光刻胶掩膜图形；

(4)以光刻胶作为掩膜在介质层上刻蚀引线沟槽；

(5)去除光刻胶；

(6)形成刻蚀通孔的光刻胶掩膜图形；;9.3.3、低K介质层材料和淀积技术;目前研究的低K介质材料，按其K值的范围可分为三类：

①K=2.8-3.5；②K＝2.5-2.8；③K≤2.0。

K值在2.8-3.5之间的低K材料，主要有HSQ薄膜、掺氟的氧化物、低K的SOG旋涂玻璃(SpinonG1ass)三种。

K值在2.5-2.8之间的低K材