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一种半导体器件及其形成方法、电子设备.pdfVIP

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  • 2023-12-06 发布于四川
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一种半导体器件及其形成方法、电子设备.pdf

    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法、电子设备，半导体器件包括：半导体基底，包括基底本体、第一凸起部和第二凸起部；第一栅堆叠，与第一凸起部连接、设置于第一凸起部上方；第二栅堆叠，与第二凸起部连接、设置于第二凸起部上方；第一绝缘隔离结构，设置于第一栅堆叠与第二栅堆叠之间。电子设备包括上述半导体器件。该方法包括：提供半导体基底，在半导体基底上形成第一、第二凸起部，在第一凸起部上方形成与第一凸起部连接的第一栅堆叠以及在第二凸起部上方形成与第二凸起部连接的第二栅堆叠，在第一、第二栅堆叠之间形成第一绝缘

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN113517286A

    (43)申请公布日

    2021.10.19

    (21)申请号20201

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