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硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究的开题报告

一、选题背景

随着LED产业的快速发展，以及对新型器件的不断追求，GaN基LED逐步成为了LED照明领域的主力军。其中以硅衬底GaN基LED为代表，具有发光效率高、寿命长、性能稳定等优势，已经广泛应用于各个领域。而在GaN基LED制造过程中，钝化层的选取以及P面欧姆接触的制备，对LED器件的性能影响极大。

二、选题意义

对硅衬底GaN基LED钝化层和P面欧姆接触的研究，可以在一定程度上优化LED器件的性能，提高LED的发光效率和使用寿命。另外，研究中涉及的材料与制备工艺，也可为其他新型器件开发提供一定的参考意义，具有较大的应用价值。

三、研究内容

1.硅衬底GaN基LED的结构分析和特性研究；

2.硅衬底GaN基LED钝化层的选取和制备；

3.硅衬底GaN基LEDP面欧姆接触的制备；

4.硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的性能测试和分析。

四、研究方法

1.结构和特性分析将采用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）等方法；

2.硅衬底GaN基LED钝化层的制备将采用分子束外延（MBE）或化学气相沉积（CVD）等工艺；

3.P面欧姆接触的制备将结合电极沉积、退火方式进行；

4.性能测试将采用外量子效率测试（EQE）、IV测试、接触电阻测试等方法。

五、论文结构

1.绪论：GaN基LED的研究现状及研