(1.4.1)--4.1.1 N沟道增强型MOSFET（一）.pptVIP

场效应三极管及其放大电路

P沟道耗尽型P沟道N沟道增强型N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在场效应管的分类P沟道N沟道N沟道：导电沟道中的载流子为电子。P沟道：导电沟道中的载流子为空穴。

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管MOSFET放大电路0102目录CONTENTS

金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三级管（上）

N沟道增强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFET0102目录CONTENTS

L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度通常WLN沟道增强型MOSFET01结构（N沟道）

剖面图符号N沟道增强型MOSFET01结构（N沟道）

（1）vGS对沟道的控制作用当vGS≤0时无导电沟道，d、s间加电压时，也无电流产生。当0vGSVT时产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。N沟道增强型MOSFET02工作原理

当vGSVT时在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。N沟道增强型MOSFET02工作原理VGS越大，导电沟道越厚VT称为开启电压

（2）vDS对沟道的控制作用当vGS一定（vGSVT）时，?靠近漏极d处的电位升高?电场强度减小?沟道变薄vDS??ID??沟道电位梯度?整个沟道呈楔形分布N沟道增强型MOSFET02工作原理整个沟道呈楔形分布

（2）vDS对沟道的控制作用当vGS一定（vGSVT）时，vDS??ID??沟道电位梯度?当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。在预夹断处：vGD=vGS-vDS=VTN沟道增强型MOSFET02工作原理在预夹断处：VGD=VGS-VDS=VTN

（2）vDS对沟道的控制作用预夹断后，vDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变N沟道增强型MOSFET02工作原理

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