(1.5.16)--5.5.3 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较.pptVIP

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较01BJT放大电路三种组态的判别以输入、输出信号的位置为判断依据：信号由基极输入，集电极输出——共射极放大电路信号由基极输入，发射极输出——共集电极放大电路信号由发射极输入，集电极输出——共基极电路

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较02BJT放大电路三种组态的比较

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较03BJT放大电路三种组态的特点及用途共射极放大电路：电压和电流增益都大于1，输入电阻在三种组态中居中，输出电阻与集电极电阻有很大关系。适用于低频情况下，作多级放大电路的中间级。

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较03BJT放大电路三种组态的特点及用途共集电极放大电路：只有电流放大作用，没有电压放大，有电压跟随作用。在三种组态中，输入电阻最高，输出电阻最小，频率特性好。可用于输入级、输出级或缓冲级。

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较03BJT放大电路三种组态的特点及用途共基极放大电路：只有电压放大作用，没有电流放大，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性较好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，模拟集成电路中亦兼有电位移动的功能。

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较04FET和BJT重要特性的比较（1）FET和BJT内部都含有两个PN结，外部都有3个电极。它们有如下的对应关系：FETBJT栅极g?基极b源极s?发射极e漏极d?集电极c

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较04FET和BJT重要特性的比较?

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较04FET和BJT重要特性的比较放大电路组态对应关系：CEBJTFETCSCCCDCBCG电压增益：BJTFETCE：CC：CB：CS：CD：CG：

FET和BJT及其基本放大电路性能的比较04FET和BJT重要特性的比较输出电阻：BJTFET输入电阻：CE：CC：CB：CS：CD：CG：CE：CC：CB：CS：CD：CG：

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